Tiêm kích tàng hình J-20 Trung Quốc đạt bước đột phá mới

Theo SCMP, nhóm các nhà khoa học của Đại học Sơn Đông, Trung Quốc, đứng đầu là giáo sư Xu Xian Gang đã giúp máy bay chiến đấu tàng hình J-20 tăng gấp ba lần phạm vi phát hiện radar, nhờ vào công nghệ bán dẫn silicon carbide (SiC).

Theo các thông tin được công bố, vật liệu bán dẫn silicon carbide (SiC) đã tăng gấp ba lần phạm vi phát hiện của các hệ thống radar mảng pha, cho phép radar của Trung Quốc phát hiện mục tiêu nhanh chóng. Ngoài tăng cường phạm vi radar, vật liệu này còn giúp cải thiện độ chính xác của tên lửa và tăng cường sức mạnh của vũ khí laser, biến nó thành "lá chắn cứng" không thể thiếu trong công nghệ quốc phòng.

Trong một cuộc phỏng vấn trước truyền thông, giáo sư Xu Xian Gang tiết lộ: "Mỹ đã ứng dụng vật liệu SiC bán cách điện vào tiêm kích F-35 và hệ thống phòng thủ tên lửa THAAD. Nếu không có radar hiệu quả, cho dù máy bay có hiện đại đến mấy cũng không thể phát huy hết được sức mạnh".

Giáo sư Xu Xian Gang lưu ý rằng, trong thời gian qua, Mỹ và các đồng minh liên tục tăng cường kiểm soát xuất khẩu chip tiên tiến sang Trung Quốc, đặc biệt là các loại dùng trong quốc phòng và trí tuệ nhân tạo. Trước tình hình đó, nhóm nghiên cứu của ông đã nỗ lực phát triển công nghệ sản xuất tinh thể SiC bán cách điện có độ tinh khiết cao.

Theo chuyên gia này, trong quá trình phát triển, nhóm của ông đã gặp một số khó khăn về chất lượng cũng như quá trình xử lý SiC. Và đến thời điểm hiện tại, nhóm đã kiểm soát chính xác quá trình phát triển vật liệu.

Ngoài việc ứng dụng trong lĩnh vực quốc phòng, chất bán dẫn này cũng có thể cải thiện tuổi thọ của pin và tăng phạm vi di chuyển của xe điện, mở ra ứng dụng trong lưới điện thông minh, truyền thông lượng tử và thám hiểm không gian.

Silicon carbide (SiC) là một hợp chất của silic và carbon, một vật liệu bán dẫn cực kỳ cứng, hoạt động tốt trong môi trường công suất cao và nhiệt độ vượt xa chất bán dẫn thông thường. Là vật liệu bán dẫn dải rộng, SiC có khả năng chịu điện áp gấp 10 lần bán dẫn nền silicon.

Sau khi được một nhà phát minh người Mỹ phát hiện từ năm 1891, SiC từng được dùng trong dụng cụ cắt gọt, bộ phận gia nhiệt lò công nghiệp và đế bán dẫn của đèn LED.

Được biết, ông Xu bắt đầu nghiên cứu SiC từ năm 2000, đạt nhiều đột phá trong cơ chế tăng trưởng, phát triển các đặc tính bán cách điện có độ tinh khiết cao và tập trung vào phát triển thiết bị, công nghiệp hóa.

Các công nghệ do ông Xu phát triển hiện đã được chuyển giao cho các nhà sản xuất SiC nổi tiếng như SICC có trụ sở tại Sơn Đông và Summit Crystal Semiconductor ở Quảng Châu.

Quỳnh Như

Theo SCMP